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    G-31B4型高精密雙面光刻機

    一、主要用途主要用于中小規模集成電路、半導體元器件、光電子器件、聲表面波器件、薄膜電路、電力電子器件的研制和生產。二、主要…

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    G-31B4型高精密光刻機


    產品介紹:

    設備概述

    本設備廣泛用于各大、中、小型企業、大專院校、科研單位,它主要用于中小規模集成電路、半導體元器件、光電子器件、聲表面波器件、薄膜電路、電力電子器件的研制和生產。

    主要構成

    本設備為板板對準雙面曝光

    主要由雙視場CCD顯微顯示系統、二臺高均勻性曝光頭、PLC電控系統、高精度對準工作臺、Z軸升降機構、真空管路系統、氣路系統、直聯式真空泵、二級防震工作臺等組成。


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    曝光頭部件圖


    CCD顯微系統|XYQ對準工作臺

    主要功能特點

    1.適用范圍廣
    適用于φ100mm以下厚度5mm以下的各種基片(包括非圓形基片)的對準曝光,雙面可同時曝光,亦可用于單面曝光。

    2.結構先進
    Z
    軸采用滾珠直進式導軌和可實現硬接觸、軟接觸、微力接觸的真空密著機構,真空吸版,防粘片機構。

    3.操作簡便
    X\Y
    移動、Q轉、Z軸升降采用手動方式;
    吸版、反吹采用按鈕方式,操作、調試、維護、修理都非常簡便。

     4. 可靠性高
    采用進口(日本產)電磁閥、按鈕、定時器;采用獨特的氣動系統、真空管路系統和

    精密的機械零件,使本機運行具有非常高的可靠性。
    5.
    特設功能
    除標準承片臺外,還可以為用戶定制專用承片臺,來解決非圓形基片、碎片和底面不平的基片造成的版片分離不開所引起的版片無法對準的問題


    主要技術指標

    曝光類型:版-版對準雙面曝光
    曝光面積:φ100mm
    曝光不均勻性:≤±3%
    曝光強度:≥5mw/cm2
    曝光分辨率:2μm
    曝光模式:雙面同時曝光,配置2GCQ350W型超高壓直流球形汞燈高均勻性曝光頭

    對準范圍:X:±5mm Y:±5mm
    套刻精度:2μm

    旋轉范圍:Q向旋轉調節±5°

    顯微系統:雙視場CCD系統,物鏡1.6X10X,計算機圖像處理系統,19″液晶監視器;
    掩模版尺寸:能真空吸附4"方形掩板,對版的厚度無特殊要求(13mm皆可)。

    基片尺寸:適用于Φ3"mm圓形基片(或3"×3"mm方形基片),基片厚度≤5mm




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